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中芯国际于12月15日宣布任命蒋尚义为副董事长，随后网上流传着中芯国际联合 CEO梁孟松在大会现场宣布辞职的消息。
在一份广为流传的辞职信中，梁孟松表示，直到12月9日，他才被告知蒋尚义将担任公司副董事长。”“这件事使我非常困惑和困惑，因为我事先并不了解这件事。我深深感到，人们不再尊重我，也不再信任我。梁孟松表示，公司董事会及股东大会通过蒋尚义提名的董事人选后，本人将正式辞职。
有消息称，在中芯国际董事会就任命蒋尚义为副董事长一事表决时，梁孟松弃权。
中芯国际今日回应称，正积极与梁孟松核实其真实的辞职信。但是官方没有透露这一事件的具体细节，传闻在网上进一步发酵。
不管是梁孟松还是蒋尚义，都可谓是国内半导体产业的领头羊。
曾在台积电和三星电子任职的梁孟松，于2017年正式加入中芯国际。据梁孟松在信中自述，在加入中芯国际的三年间，他带领团队完成了从28 nm到7 nm的5代技术发展。这个任务通常需要公司花费超过十年的时间才能完成。
此外，蒋尚义也曾在台积电任职，曾任共同首席运营官。随后他成为武汉弘芯的首席执行官，但弘芯的项目陷入困境，蒋尚义也选择离开。
对梁孟松关于蒋尚义担任中芯国际副董事长的强烈反对，外界存在着各种猜测和传闻。其中一个认为两人在台积电工作期间就有争执，另一个则认为他们的技术路线不同。
在任期间，梁孟松主宰了中芯国际先进制程技术的研发。据他在辞职信中表示，目前中芯国际的28 nm、14 nm、12 nm和 n+1等技术已进入大规模量产阶段，7 nm技术的开发已经完成，明年4月将可立即实现风险量产。最关键的8大技术也是最难的5 nm和3 nm也已有序展开，只等 EUV光刻机到来，才能进入全面开发阶段。
2017年5月，中芯国际以1.5亿美元的价格向荷兰 ASML订购了一台新型 EUV光刻机，原计划于2019年初交付。但由于美国方面的阻挠，这笔交易至今尚未达成。
十月份，美国商务部工业与安全局(BIS)致函部分供应商，要求对美国向中芯国际出口的部分设备、配件和原始材料进行进一步限制，并要求在事先申请出口许可之前，向中芯国际继续供应。
由于美国的压制，中芯国际在先进制造技术方面的步伐大打折扣。
而蒋尚义则是另一个技术方向。接受媒体采访时，他表示，自己对先进封装技术和小型芯片的热情很高，中芯国际的先进加工技术已达到14 nm、 N+1、 N+2级，实现中芯国际先进封装和系统集成的梦想，比弘芯快至少4~5年。
高级工艺与高级封装的不同之处在于，高级工艺更追求通过工艺的快速改进来提高芯片的效能，而高级封装则是在一定成熟工艺的基础上，通过系统集成来提高芯片间的连接和性能。
事实上，对中芯国际来说，两者的技术人才都是不可缺少的。梁孟松辞职的真正原因，以及中芯国际管理层对此事的平衡处理，还有待官方进一步公布。
